代号Flashbolt三星发布HBM2E存储芯片  浏览网址

  引自hkepc的讯息。三星克日宣告了代号为“Flashbolt”的HBM2E存储芯片,HBM2E单颗最大容量为16GB,由8颗16Gb的DRAM颗粒堆迭而成,单个封装可竣工16GB容量,最高可供应3.2Gbps的平稳数据传输速率。估计全新的HBM2E存储芯片将正在本年上半年先导量产。

  至于JEDEC(邦际固态本事协会)最新宣告的第三版HBM2E准绳“JESD235C”,HBM2E存储芯片的电压还是维系正在1.2V,不外其针脚频宽进步到3.2Gbps,较前一代2.4Gbps的最大数据传输速率晋升33%。依照JEDEC给出的策画模范,单Die最大可达2GB、单堆迭12Die能到达24GB的容量,将其装备正在增援四堆迭的显示中心上,便可为显卡供应1.64TB/s的总频宽。

  至于三星内部测试自家全新的“Flashbolt”存储芯片,正在“超频”后可能到达最高4.2Gbps的传输速度,频宽更高达538GB/s,比上代产物超越75%。

  依照三星官方的说法,全新的HBM2E存储芯片将会正在本年上半年先导量产,特殊实用于HPC高职能运算编制,并可助助编制创制商实时订正其超等电脑、AI驱动的数据判辨以及最新的图形编制。

  故意思的是,“JESD235C“准绳中仅仅拟定了寻常劳动状况的电压,并未对全新的HBM2E电压的做出任何的限度。以是,三星可认为自家的HBM2E存储芯片插手“超频”的性情,如许可能竣工不小的晋升空间,为显卡供应更高的频宽。

  全新的HBM2E纪念体“Flashbolt”采用三星1ynm制程工艺,单颗最大容量为16GB,由16Gb的单Die通过8层堆迭而成。三星官方先容说,全新的“Flashbolt”正在频宽上面有对照彰彰的晋升,正在默认的3.2Gbps下,单颗HBM2E就可能供应高达410GB/s的频宽,1秒内便可传输82部 Full HD (5GB)全高清画质的影片。

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